離（lí）子鍍（dù）沉（chén）積源的設計應盡可能提高鍍膜過程中的離化率，提高鍍膜材（cái）料的利用率，合理匹配沉積源的功率，合理（lǐ）布置沉積源在真空（kōng）室體的位置。
　　合理布置（zhì）加熱裝置，一般加熱器結構（gòu）布局應使被鍍工件溫（wēn）升均勻一樣。
　　工件架應與真空室體絕緣，工件架的設計應使（shǐ）工件（jiàn）膜層均勻。
　　多（duō）弧離子真空鍍膜設備一般應具有工件負（fù）偏壓和離子轟（hōng）擊電源，離子（zǐ）轟（hōng）擊電（diàn）源應具有抑製（zhì）非正常放電裝置，維持穩定（dìng）。
　　真空室接不（bú）同電位的各部分間的絕緣（yuán）電阻值的（de）大小，均按相應（yīng）的要求。